Jung-Bae Lee, presidente y máximo responsable de la división de memoria de Samsung Electronics, ha informado que el desarrollo de la novena generación de su memoria V-NAND va según lo previsto y que tienen previsto iniciar su producción en masa a principios del año que viene.
En el nuevo diseño en el que están trabajando se apilan verticalmente más de 300 capas de celdas de memoria interconectadas entre sí. Esta técnica aumenta la capacidad de almacenamiento, ocupa menos espacio, reduce el coste por byte y mejora las prestaciones debido a que las conexiones son más cortas.
Samsung ha reiterado que la memoria V-NAND que están desarrollando va a incluir más capas apiladas verticalmente que ninguna otra solución basada en la tecnología 3D NAND que sus competidores hayan anunciado hasta la fecha.
Aunque no ha proporcionado más detalles al respecto, ello implica que superará las 321 capas de la nueva generación de memoria 3D NAND de SK Hynix, que se presentó el pasado mes de marzo pero que no está previsto que llegue al mercado, en el mejor de los casos, hasta el año que viene.
A medio y largo plazo, Samsung confía en seguir minimizando las interferencias entre celdas, reducir la altura de las mismas y aumentar el número de capas apiladas verticalmente, con el objetivo de crear en el futuro V-NAND que superen las 1.000 capas.
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